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硒化鎵晶體 10 x 10 x 2mm(太赫茲透鏡) GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。

太赫茲雙透鏡光學系統(PTFE 聚四氯乙烯) 作為現成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 THz 頻段的 TPX 和 PTFE 透鏡及光學系統。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 PTFE，Teflon®）制成，其介電常數較低，在 520 GHz 時約為 1.96，折射率為 1.4。THz 頻段可表示為 300 GHz 至 10 THz 的頻率范圍或 30 μm 至 1 mm 的波長范圍。

太赫茲平凸、雙凸透鏡(TPX 聚甲基戊烯) 作為現成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 THz 頻段的 TPX 和 PTFE 透鏡及光學系統。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 PTFE，Teflon®）制成，其介電常數較低，在 520 GHz 時約為 1.96，折射率為 1.4。THz 頻段可表示為 300 GHz 至 10 THz 的頻率范圍或 30 μm 至 1 mm 的波長范圍。

太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯) 作為現成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 THz 頻段的 TPX 和 PTFE 透鏡及光學系統。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 PTFE，Teflon®）制成，其介電常數較低，在 520 GHz 時約為 1.96，折射率為 1.4。THz 頻段可表示為 300 GHz 至 10 THz 的頻率范圍或 30 μm 至 1 mm 的波長范圍

GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。